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RN2ZV3

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小172KB,共9页
制造商SANKEN
官网地址http://www.sanken-ele.co.jp/en/
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RN2ZV3概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon,

RN2ZV3规格参数

参数名称属性值
厂商名称SANKEN
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流70 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大反向恢复时间0.1 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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General-purpose Diodes
Rectifier Diodes
s
Surface-mount Type
Absolute Maximum Ratings
Type No.
V
RM
(V)
200
400
200
400
1.0
45
I
F (AV)
(A)
I
FSM
(A)
Tj
Tstg
(ºC)
SFPM-52
-54
SFPM-62
-64
0.9
30
–40 to +150
0.98
V
F
(V)
max
1.00
1.0
10
1
Condition
(Ta=25ºC)
Electrical Characteristics
I
R
(µA)
max
RM 4Y
4Z
4
4A
4B
4C
100
200
400
600
800
1000
600
3.2
350
0.92
3.5
150
3.0
–40 to +150
0.97
200
0.95
3.0
Fig.
No.
Type No.
V
RM
(V)
Absolute Maximum Ratings
I
F (AV)
(A)
I
FSM
(A)
Tj
Tstg
(ºC)
(Ta=25ºC)
Electrical Characteristics
V
F
I
R
Condition
(V)
(µA)
I
F
max
max
(A)
Fig.
No.
I
F
(A)
10
8
s
Axial Type
Absolute Maximum Ratings
Type No.
V
RM
(V)
200
400
600
200
400
600
100
200
400
600
800
1000
400
600
800
200
400
600
800
1000
600
800
1000
200
400
600
800
200
400
600
800
1000
200
400
600
800
1000
400
600
800
1000
2.0
2.5
150
–40 to +150
0.95
2.5
1.2
80
–40 to +150
0.92
1.5
1.2
100
–40 to +150
0.91
1.5
1.2
150
1.5
120
–40 to +150
0.91
1.5
1.2
100
–40 to +150
0.92
1.5
0.8
40
1.0
50
–40 to +150
1.20
0.95
1.0
1.2
80
–40 to +150
0.92
1.2
1.0
45
–40 to +150
0.97
1.0
1.0
45
–40 to +150
0.97
1.0
1.0
35
–40 to +150
0.98
1.0
I
F (AV)
(A)
I
FSM
(A)
Tj
Tstg
(ºC)
AM01Z
01
01A
EM01Z
01
01A
EM 1Y
1Z
1
1A
1B
1C
EM 2
2A
2B
RM 1Z
1
1A
1B
1C
RM 11A
11B
11C
RM 10Z
10
10A
10B
RM 2Z
2
2A
2B
2C
RO 2Z
2
2A
2B
2C
RM 3
3A
3B
3C
V
F
(V)
max
Condition
(Ta=25ºC)
Electrical Characteristics
I
R
(µA)
max
Fig.
No.
4AM
I
F
(A)
s
Center-tap Type
Absolute Maximum Ratings
Type No.
V
RM
(V)
200
400
600
100
200
400
600
20.0
120
–40 to +150
1.1
10.0
10.0
100
–40 to +150
1.1
5.0
I
F (AV)
(A)
I
FSM
(A)
Tj
Tstg
(ºC)
FMM-22S,R
V
F
Condition
(V)
I
F
max. per
(A)
chip
(Ta=25ºC)
Electrical Characteristics
I
R
(µA)
max. per
chip
10
2
Fig.
No.
10
3
-24S,R
-26S,R
FMM-31S,R
-32S,R
-34S,R
-36S,R
10
9
10
10
35
10
4
5
5
10
10
10
6
10
10
7
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