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K4M51163LE-YL1L

产品描述Synchronous DRAM, 32MX16, 7ns, CMOS, PBGA54
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文件大小113KB,共12页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K4M51163LE-YL1L概述

Synchronous DRAM, 32MX16, 7ns, CMOS, PBGA54

K4M51163LE-YL1L规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
包装说明FBGA, BGA54,9X9,32
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间7 ns
最大时钟频率 (fCLK)105 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码S-PBGA-B54
JESD-609代码e0
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度16
端子数量54
字数33554432 words
字数代码32000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度-25 °C
组织32MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA54,9X9,32
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
电源1.8/2.5,2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.0015 A
最大压摆率0.28 mA
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM

K4M51163LE-YL1L相似产品对比

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描述 Synchronous DRAM, 32MX16, 7ns, CMOS, PBGA54 Synchronous DRAM, 32MX16, 7ns, CMOS, PBGA54 Synchronous DRAM, 32MX16, 7ns, CMOS, PBGA54 Synchronous DRAM, 32MX16, 7ns, CMOS, PBGA54 Synchronous DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA54 Synchronous DRAM, 32MX16, 7ns, CMOS, PBGA54 Synchronous DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA54 Synchronous DRAM, 32MX16, 7ns, CMOS, PBGA54
是否Rohs认证 不符合 符合 符合 符合 符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
包装说明 FBGA, BGA54,9X9,32 FBGA, BGA54,9X9,32 FBGA, BGA54,9X9,32 FBGA, BGA54,9X9,32 FBGA, BGA54,9X9,32 FBGA, BGA54,9X9,32 FBGA, BGA54,9X9,32 FBGA, BGA54,9X9,32
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
最长访问时间 7 ns 7 ns 7 ns 7 ns 6 ns 7 ns 6 ns 7 ns
最大时钟频率 (fCLK) 105 MHz 105 MHz 105 MHz 105 MHz 125 MHz 105 MHz 125 MHz 105 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8
JESD-30 代码 S-PBGA-B54 S-PBGA-B54 S-PBGA-B54 S-PBGA-B54 S-PBGA-B54 S-PBGA-B54 S-PBGA-B54 S-PBGA-B54
内存密度 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 16 16 16 16 16 16 16 16
端子数量 54 54 54 54 54 54 54 54
字数 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words
字数代码 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
最低工作温度 -25 °C -25 °C -25 °C -25 °C -25 °C -25 °C -25 °C -25 °C
组织 32MX16 32MX16 32MX16 32MX16 32MX16 32MX16 32MX16 32MX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 FBGA FBGA FBGA FBGA FBGA FBGA FBGA FBGA
封装等效代码 BGA54,9X9,32 BGA54,9X9,32 BGA54,9X9,32 BGA54,9X9,32 BGA54,9X9,32 BGA54,9X9,32 BGA54,9X9,32 BGA54,9X9,32
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH
电源 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192
连续突发长度 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP
最大待机电流 0.0015 A 0.0015 A 0.0015 A 0.0015 A 0.0015 A 0.0015 A 0.0015 A 0.0015 A
最大压摆率 0.28 mA 0.32 mA 0.32 mA 0.28 mA 0.35 mA 0.28 mA 0.35 mA 0.32 mA
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM

 
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