QUAD 1-CHANNEL, SGL POLE SGL THROW SWITCH, CDIP16, CERAMIC, DIP-16
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 |
| 针数 | 16 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 19 weeks |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | SPST |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 负电源电压最大值（Vsup） | -20 V |
| 负电源电压最小值（Vsup） | -5 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 正常位置 | NC |
| 信道数量 | 1 |
| 功能数量 | 4 |
| 端子数量 | 16 |
| 最大通态电阻 (Ron) | 35 Ω |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出 | SEPARATE OUTPUT |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5,12/+-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 20 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 最长断开时间 | 145 ns |
| 最长接通时间 | 250 ns |
| 切换 | BREAK-BEFORE-MAKE |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm |
| DG411AK/883 | 5962-9073101MEA | |
|---|---|---|
| 描述 | QUAD 1-CHANNEL, SGL POLE SGL THROW SWITCH, CDIP16, CERAMIC, DIP-16 | QUAD 1-CHANNEL, SGL POLE SGL THROW SWITCH, CDIP16, FRIT SEALED, CERDIP-16 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
| 零件包装代码 | DIP | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 | DIP, DIP16,.3 |
| 针数 | 16 | 16 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 19 weeks | 19 weeks |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | SPST | SPST |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T16 | R-GDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V |
| 正常位置 | NC | NC |
| 信道数量 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 4 | 4 |
| 端子数量 | 16 | 16 |
| 最大通态电阻 (Ron) | 35 Ω | 35 Ω |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 输出 | SEPARATE OUTPUT | SEPARATE OUTPUT |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5,12/+-15 V | 5,12/+-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 5.08 mm |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 最长断开时间 | 145 ns | 145 ns |
| 最长接通时间 | 250 ns | 175 ns |
| 切换 | BREAK-BEFORE-MAKE | BREAK-BEFORE-MAKE |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | TIN LEAD | Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm |
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