KM41464AZ-10概述

Page Mode DRAM, 64KX4, 100ns, MOS, PZIP20

KM41464AZ-10规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
包装说明	ZIP, ZIP20,.1
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	100 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PZIP-T20
JESD-609代码	e0
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	PAGE MODE DRAM
内存宽度	4
湿度敏感等级	3
端子数量	20
字数	65536 words
字数代码	64000
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64KX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	ZIP
封装等效代码	ZIP20,.1
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	256
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	MOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm
端子位置	ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间	40

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KM41464AZ-10相似产品对比

	KM41464AZ-10	KM41464AP-10	KM41464AJ-10
描述	Page Mode DRAM, 64KX4, 100ns, MOS, PZIP20	Page Mode DRAM, 64KX4, 100ns, MOS, PDIP18	Page Mode DRAM, 64KX4, 100ns, MOS, PQCC18
是否无铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
包装说明	ZIP, ZIP20,.1	DIP, DIP18,.3	QCCJ, LDCC18,.33X.53
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	100 ns	100 ns	100 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PZIP-T20	R-PDIP-T18	R-PQCC-J18
JESD-609代码	e0	e0	e0
内存密度	262144 bit	262144 bit	262144 bit
内存集成电路类型	PAGE MODE DRAM	PAGE MODE DRAM	PAGE MODE DRAM
内存宽度	4	4	4
湿度敏感等级	3	3	3
端子数量	20	18	18
字数	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C
组织	64KX4	64KX4	64KX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	ZIP	DIP	QCCJ
封装等效代码	ZIP20,.1	DIP18,.3	LDCC18,.33X.53
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260
电源	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	256	256	256
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	YES
技术	MOS	MOS	MOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	J BEND
端子节距	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm
端子位置	ZIG-ZAG	DUAL	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	40

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