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SN74AUP3G06DQER

产品描述Low-Power Triple Inverter Buffer/Driver With Open-Drain Outputs 8-X2SON -40 to 85
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小1MB,共22页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
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SN74AUP3G06DQER概述

Low-Power Triple Inverter Buffer/Driver With Open-Drain Outputs 8-X2SON -40 to 85

SN74AUP3G06DQER规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码QFN
包装说明HSON, SOLCC8,.04,14
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time6 weeks
Samacsys DescriptiLOW-POWER TRIPLE INVERTER BUFFER/DRIVER WITH OPEN-DRAIN OUTPUTS
计数方向UNIDIRECTIONAL
系列AUP/ULP/V
JESD-30 代码R-PDSO-N8
JESD-609代码e4
长度1.4 mm
负载电容(CL)30 pF
逻辑集成电路类型BUS DRIVER
最大I(ol)0.004 A
湿度敏感等级1
位数1
功能数量3
端口数量2
端子数量8
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
输出特性OPEN-DRAIN
输出极性INVERTED
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码HSON
封装等效代码SOLCC8,.04,14
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG
包装方法TR
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.2/3.3 V
最大电源电流(ICC)0.01 mA
Prop。Delay @ Nom-Su19.3 ns
传播延迟(tpd)19.3 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
座面最大高度0.4 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)0.8 V
标称供电电压 (Vsup)1.2 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
端子形式NO LEAD
端子节距0.35 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
翻译N/A
宽度1 mm

SN74AUP3G06DQER相似产品对比

SN74AUP3G06DQER SN74AUP3G06DCUR SN74AUP3G06RSER SN74AUP3G06YFPR
描述 Low-Power Triple Inverter Buffer/Driver With Open-Drain Outputs 8-X2SON -40 to 85 Buffer/Driver 3-CH Inverting Open Drain CMOS 8-Pin VSSOP T/R Low-Power Triple Inverter Buffer/Driver With Open-Drain Outputs 8-UQFN -40 to 85 Low-Power Triple Inverter Buffer/Driver With Open-Drain Outputs 8-DSBGA -40 to 85
Brand Name Texas Instruments - Texas Instruments Texas Instruments
是否无铅 不含铅 - 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合
零件包装代码 QFN - QFN BGA
包装说明 HSON, SOLCC8,.04,14 - VQCCN, LCC8,.06SQ,20 VFBGA, BGA8,2X4,16
针数 8 - 8 8
Reach Compliance Code compli - compli compli
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99
计数方向 UNIDIRECTIONAL - UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL
系列 AUP/ULP/V - AUP/ULP/V AUP/ULP/V
JESD-30 代码 R-PDSO-N8 - S-PQCC-N8 R-XBGA-B8
JESD-609代码 e4 - e4 e1
长度 1.4 mm - 1.5 mm 1.57 mm
负载电容(CL) 30 pF - 30 pF 30 pF
逻辑集成电路类型 BUS DRIVER - BUS DRIVER BUS DRIVER
最大I(ol) 0.004 A - 0.004 A 0.004 A
湿度敏感等级 1 - 1 1
位数 1 - 1 1
功能数量 3 - 3 3
端口数量 2 - 2 2
端子数量 8 - 8 8
最高工作温度 85 °C - 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C - -40 °C -40 °C
输出特性 OPEN-DRAIN - OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN
输出极性 INVERTED - INVERTED INVERTED
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY UNSPECIFIED
封装代码 HSON - VQCCN VFBGA
封装等效代码 SOLCC8,.04,14 - LCC8,.06SQ,20 BGA8,2X4,16
封装形状 RECTANGULAR - SQUARE RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG - CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
包装方法 TR - TR TR
峰值回流温度(摄氏度) 260 - 260 260
电源 1.2/3.3 V - 1.2/3.3 V 1.2/3.3 V
最大电源电流(ICC) 0.01 mA - 0.0009 mA 0.0009 mA
Prop。Delay @ Nom-Su 19.3 ns - 19.3 ns 19.3 ns
传播延迟(tpd) 19.3 ns - 19.3 ns 19.3 ns
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
施密特触发器 NO - NO NO
座面最大高度 0.4 mm - 0.6 mm 0.5 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V - 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 0.8 V - 0.8 V 0.8 V
标称供电电压 (Vsup) 1.2 V - 1.2 V 1.2 V
表面贴装 YES - YES YES
技术 CMOS - CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL - INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag) - Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 NO LEAD - NO LEAD BALL
端子节距 0.35 mm - 0.5 mm 0.4 mm
端子位置 DUAL - QUAD BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
翻译 N/A - N/A N/A
宽度 1 mm - 1.5 mm 0.77 mm
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