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IDT7200L35TC

产品描述FIFO, 256X9, 35ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, THIN, CERAMIC, DIP-28
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文件大小440KB,共13页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7200L35TC概述

FIFO, 256X9, 35ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, THIN, CERAMIC, DIP-28

IDT7200L35TC规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码DIP
包装说明0.300 INCH, SIDE BRAZED, THIN, CERAMIC, DIP-28
针数28
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间35 ns
其他特性RETRANSMIT
周期时间45 ns
JESD-30 代码R-CDIP-T28
JESD-609代码e0
内存密度2304 bit
内存集成电路类型OTHER FIFO
内存宽度9
功能数量1
端子数量28
字数256 words
字数代码256
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256X9
输出特性3-STATE
可输出NO
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.0005 A
最大压摆率0.125 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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