Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, 150V V(RRM), Silicon,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Bkc Semiconductors Inc |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 其他特性 | HIGH SURGE CAPABILITY |
| 应用 | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 0.875 V |
| JESD-30 代码 | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 35 A |
| 元件数量 | 1 |
| 相数 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 最大输出电流 | 2.5 A |
| 封装主体材料 | GLASS |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散 | 3 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 参考标准 | MIL-19500/477 |
| 最大重复峰值反向电压 | 150 V |
| 最大反向电流 | 1 µA |
| 最大反向恢复时间 | 0.025 µs |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| JAN1N5806 | JAN1N5804 | JAN1N5802 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, 150V V(RRM), Silicon, | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, 100V V(RRM), Silicon, | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, 50V V(RRM), Silicon, |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| 其他特性 | HIGH SURGE CAPABILITY | HIGH SURGE CAPABILITY | HIGH SURGE CAPABILITY |
| 应用 | GENERAL PURPOSE | GENERAL PURPOSE | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 0.875 V | 0.875 V | 0.875 V |
| JESD-30 代码 | O-LALF-W2 | O-LALF-W2 | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 35 A | 35 A | 35 A |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 相数 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 | 2 |
| 最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C |
| 最大输出电流 | 2.5 A | 2.5 A | 2.5 A |
| 封装主体材料 | GLASS | GLASS | GLASS |
| 封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM | LONG FORM | LONG FORM |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散 | 3 W | 3 W | 3 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 参考标准 | MIL-19500/477 | MIL-19500/477 | MIL-19500/477 |
| 最大重复峰值反向电压 | 150 V | 100 V | 50 V |
| 最大反向电流 | 1 µA | 1 µA | 1 µA |
| 最大反向恢复时间 | 0.025 µs | 0.025 µs | 0.025 µs |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE | WIRE | WIRE |
| 端子位置 | AXIAL | AXIAL | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 厂商名称 | Bkc Semiconductors Inc | - | Bkc Semiconductors Inc |
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