Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HM62W4100HCJP-12

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HM62W4100HCJP-12: 产品描述Cache SRAM, 1MX4, 12ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32; 产品类别存储存储; 文件大小102KB，共14页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HM62W4100HCJP-12概述

Cache SRAM, 1MX4, 12ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

HM62W4100HCJP-12规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	SOJ
包装说明	SOJ, SOJ32,.44
针数	32
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	12 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J32
长度	20.71 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端子数量	32
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装等效代码	SOJ32,.44
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.76 mm
最小待机电流	3 V
最大压摆率	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
宽度	10.16 mm

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HM62W4100HC Series

4M High Speed SRAM (1-Mword

4-bit)

ADE-203-1202A (Z)

Preliminary

Rev. 0.1

May. 29, 2001

Description

The HM62W4100HC is a 4-Mbit high speed static RAM organized 1-Mword

4-bit. It has realized high

speed access time by employing CMOS process (6-transistor memory cell) and high speed circuit designing

technology. It is most appropriate for the application which requires high speed and high density memory,

such as cache and buffer memory in system. The HM62W4100HC is packaged in 400-mil 32-pin SOJ for

high density surface mounting.

Features

•

Single supply : 3.3 V ± 0.3 V

•

Access time : 10/12 ns (max)

•

Completely static memory



No clock or timing strobe required

•

Equal access and cycle times

•

Directly TTL compatible



All inputs and outputs

•

Operating current : 115/100 mA (max)

•

TTL standby current : 40 mA (max)

•

CMOS standby current : 5 mA (max)

: 1 mA (max) (L-version)

•

Data retension current : 0.6 mA (max) (L-version)

•

Data retension voltage: 2 V (min) (L-version)

•

Center V

and V

type pinout

Preliminary: The specification of this device are subject to change without notice. Please contact your nearest

Hitachi’s Sales Dept. regarding specification.

HM62W4100HCJP-12相似产品对比

	HM62W4100HCJP-12	HM62W4100HCLJP-12
描述	Cache SRAM, 1MX4, 12ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	Cache SRAM, 1MX4, 12ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
厂商名称	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	SOJ	SOJ
包装说明	SOJ, SOJ32,.44	SOJ, SOJ32,.44
针数	32	32
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	12 ns	12 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32
长度	20.71 mm	20.71 mm
内存密度	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	4	4
功能数量	1	1
端子数量	32	32
字数	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C
组织	1MX4	1MX4
输出特性	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ	SOJ
封装等效代码	SOJ32,.44	SOJ32,.44
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL
电源	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.76 mm	3.76 mm
最小待机电流	3 V	2 V
最大压摆率	0.1 mA	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES
技术	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	J BEND	J BEND
端子节距	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL
宽度	10.16 mm	10.16 mm

推荐资源

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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