Standard SRAM, 64KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Hitachi （Renesas ） |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SOP, SOP32,.56 |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 85 ns |
| 其他特性 | BATTERY BACK-UP OPERATION |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G32 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 20.45 mm |
| 内存密度 | 524288 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 64KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP32,.56 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 3 mm |
| 最大待机电流 | 0.000027 A |
| 最小待机电流 | 2 V |
| 最大压摆率 | 0.035 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 11.3 mm |
| HM62V864LFP-8 | HM62V864LT-8 | |
|---|---|---|
| 描述 | Standard SRAM, 64KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 | Standard SRAM, 64KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP-32 |
| 厂商名称 | Hitachi （Renesas ） | Hitachi （Renesas ） |
| 零件包装代码 | SOIC | TSOP |
| 包装说明 | SOP, SOP32,.56 | TSOP1, TSSOP32,.8,20 |
| 针数 | 32 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 85 ns | 85 ns |
| 其他特性 | BATTERY BACK-UP OPERATION | BATTERY BACK-UP OPERATION |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G32 | R-PDSO-G32 |
| 长度 | 20.45 mm | 18.4 mm |
| 内存密度 | 524288 bit | 524288 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 32 | 32 |
| 字数 | 65536 words | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 | 64000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 64KX8 | 64KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP | TSOP1 |
| 封装等效代码 | SOP32,.56 | TSSOP32,.8,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
| 电源 | 3 V | 3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 3 mm | 1.2 mm |
| 最大待机电流 | 0.000027 A | 0.000027 A |
| 最小待机电流 | 2 V | 2 V |
| 最大压摆率 | 0.035 mA | 0.035 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm | 0.5 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 宽度 | 11.3 mm | 8 mm |
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