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SK13

产品描述1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小377KB,共3页
制造商DAYA
官网地址http://www.cndaya.com/
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SK13概述

1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA

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SK12 THRU SK110
Features
Schottky Barrier Rectifier
Guard Ring Protection
Low Forward Voltage
Reverse Energy Tested
High Current Capability
Extremely Low Thermal Resistance
1 Amp Schottky
Rectifier
20 to 100 Volts
DO-214AA
(SMBJ) (Round Lead)
H
Cathode Band
Maximum Ratings
Operating Temperature: -55°C to +125°C
Storage Temperature: -55°C to +150°C
Maximum Thermal Resistance; 15
°C/W
Junction To Lead
MCC
Catalog
Number
SK12
SK13
SK14
SK15
SK16
SK18
SK110
Device
Marking
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
20V
30V
40V
50V
60V
80V
100V
Maximum
RMS
Voltage
14V
21V
28V
35V
42V
56V
70V
T
J
= 90°C
8.3ms, half sine
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
SK12
SK13
SK14
SK15
SK16
SK18
SK110
Maximum
DC
Blocking
Voltage
20V
30V
40V
50V
60V
80V
100V
J
A
C
E
F
G
D
B
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
I
F(AV)
1.0A
Current
Peak Forward Surge
I
FSM
30A
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
SK12
.45V
V
F
SK13
.55V
.60V
SK14
.72V
SK15-16
.85V
SK18-110
Maximum DC Reverse
Current At Rated DC
I
R
.5mA
Blocking Voltage
Typical Junction
Capacitance
SK12
C
J
230pF
SK13-SK110
50pF
*Pulse test: Pulse width 300
µsec,
Duty cycle 2%
DIMENSIONS
INCHES
MIN
.078
.075
.002
-----
.035
.065
.205
.160
.130
MM
MIN
1.98
1.90
.05
-----
.90
1.65
5.21
4.06
3.30
I
FM
= 1.0A;
T
J
= 25°C*
MAX
.116
.089
.008
.02
.055
.091
.224
.180
.155
MAX
2.95
2.25
.20
.51
1.40
2.32
5.69
4.57
3.94
NOTE
SUGGESTED SOLDER
PAD LAYOUT
0.090"
T
J
= 25°C
0.085”
Measured at
1.0MHz, V
R
=4.0V
0.070”

SK13相似产品对比

SK13 SK110 SK12 SK14 SK15 SK16 SK18
描述 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA 1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA
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