IDT7025S35J8,IDT7025S35J8 pdf中文资料,IDT7025S35J8引脚图,IDT7025S35J8电路-Datasheet-电子工程世界

IDT7025S35J8: 产品描述Dual-Port SRAM, 8KX16, 35ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84; 产品类别存储存储; 文件大小183KB，共22页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT7025S35J8概述

Dual-Port SRAM, 8KX16, 35ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	LCC
包装说明	PLASTIC, LCC-84
针数	84
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	35 ns
其他特性	INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHORE
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PQCC-J84
JESD-609代码	e0
长度	29.3116 mm
内存密度	131072 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	16
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	84
字数	8192 words
字数代码	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8KX16
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ
封装等效代码	LDCC84,1.2SQ
封装形状	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	4.57 mm
最大待机电流	0.015 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	29.3116 mm

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