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OM50N06STT

产品描述Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小282KB,共6页
制造商Omnirel Corp
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OM50N06STT概述

Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA,

OM50N06STT规格参数

参数名称属性值
厂商名称Omnirel Corp
Reach Compliance Codeunknown
雪崩能效等级(Eas)400 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)50 A
最大漏源导通电阻0.035 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-257AA
JESD-30 代码R-MSFM-P3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)200 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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