OM6226SP2,OM6226SP2 pdf中文资料,OM6226SP2引脚图,OM6226SP2电路-Datasheet-电子工程世界

OM6226SP2: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小177KB，共4页; 制造商Omnirel Corp

下载文档详细参数选型对比全文预览

OM6226SP2概述

Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Omnirel Corp
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	HIGH RELIABILITY
外壳连接	ISOLATED
配置	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	4 A
最大漏极电流 (ID)	4 A
最大漏源导通电阻	3 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSFM-T12
JESD-609代码	e0
元件数量	4
端子数量	12
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	15 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

	OM6226SP2	OM6225SP2
描述	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.4ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
是否Rohs认证	不符合	不符合
Reach Compliance Code	unknown	unknown
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED
配置	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	1000 V	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	4 A	12 A
最大漏极电流 (ID)	4 A	12 A
最大漏源导通电阻	3 Ω	0.4 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSFM-T12	R-PSFM-T12
JESD-609代码	e0	e0
元件数量	4	4
端子数量	12	12
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	125 W	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	15 A	60 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

奇怪：Design Templates设为Small footprint device时模拟器跑不起来，而设为PDA时可以？: 昨天，我将Design Templates设为PDA时模拟器跑起来了.附：在Builder options中，去掉Enable KITL;在Target-〉Connectivity options->Debugger选none.而今天自己想再试一下，将Design Templates设为Small footprint device却黑屏，为什么呢？参数和昨天设的一样的呀！...; s110400710 嵌入式系统

C6678 SRIO借口调试记录: 设计的板子到了SRIO调试阶段了，在板子上，一片V6和两片6678通过4XSRIO互联，中间没有Switch，总算搞定了相互之间的通信。首先，感谢Ti论坛提供的SRIO程序范例，但是其硬件平台是EVM板，更多的只能用于loopback测试，但是可以在其基础上修改。1.初始化DSP的SRIO，主要是对SerDes进行配置，然后是Lane和Speed的配置，最后需要等待FPGA的LinK建立，我们在建...; Aguilera 微控制器 MCU

想和單片機高手一起討論下這個簡單串口中斷程序的問題所在！！！: 我編寫了一個串口中斷匯編程序，不復雜，調試也沒有出現問題，但是就是工作不了，我想和大家討論下究竟是什么錯誤導致它運行出錯~請大家幫忙...T2CON EQU 0C8HT2MOD EQU 0C9HTR2 BIT T2CON.2RCAP2L EQU 0CAHRCAP2H EQU 0CBHTH2 EQU 0CDHTL2 EQU 0CCHET2 BIT IE.5；以上為定義ORG 0000H；MAIN入口...; lbf_78 嵌入式系统

性能与安全兼顾适用于IoT和穿戴式设备的小型锂离子二次电池: 尼吉康全新的小型锂离子可充电电池产品并不是大众所熟知的锂电池，它是一种新颖的产品，它将会大量应用于新兴市场，如IoT物联网、万物互联和各种各样的新的通讯时代的用户。尼吉康通过采用东芝基础设施系统株式会社的SCiB技术，开发出同时拥有高功率密度和能量密度的小型锂离子二次电池。开发背景SLB小型可充电电池，实现的能量密度和功率密度相对比较居中的位置，来满足后续的IoT万物互联的实际应用，占据了市场的空...; EEWORLD社区电源技术

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多