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IRGC75B120UBPBF

产品描述1200V, N-CHANNEL IGBT, DIE-2
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小109KB,共1页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IRGC75B120UBPBF概述

1200V, N-CHANNEL IGBT, DIE-2

IRGC75B120UBPBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明UNCASED CHIP, O-XUUC-N
Reach Compliance Codecompliant
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE
JESD-30 代码O-XUUC-N
元件数量1
端子数量2
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层NOT SPECIFIED
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON

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PD - 93871
IRGC75B120UB
Die in Wafer Form
Features
GEN5 Non Punch Through (NPT) Technology
UltraFast
10
µ
s Short Circuit Capability
Square RBSOA
Positive V
CE(on)
Temperature Coefficient
Benchmark Efficiency above 20KHz
Optimized for Welding, UPS, and Induction Heating
Rugged with UltraFast Performance
Excellent Current Sharing in Parallel Operation
C
Benefits
G
E
1200V
I
C(nom)
=75A
V
CE(on) typ.
= 3.1V @
I
C(nom)
@ 25°C
UltraFast IGBT
Short Circuit Rated
150mm Wafer
Electrical Characteristics (Wafer Form)
Parameter
V
CE (on)
V
(BR)CES
V
GE(th)
I
CES
I
GES
Description
Guaranteed (min, max)
Collector-to-Emitter Saturation Voltage 1.54V min, 1.78V max
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
1200V min
Gate Threshold Voltage
4.4V min, 6.0V max
Zero Gate Voltage Collector Current
30µA max
Gate-to-Emitter Leakage Current
± 2 µA max
Test Conditions
I
C
= 10A, T
J
= 25°C, V
GE
= 15V
T
J
= 25°C, I
CES
= 750µA, V
GE
= 0V
V
GE
= V
CE
, T
J
=25°C, I
C
= 750µA
T
J
= 25°C, V
CE
= 1200V
T
J
= 25°C, V
GE
= +/-20V
Mechanical Data
Nominal Backmetal Composition, (Thickness)
Nominal Front Metal Composition, (Thickness)
Dimensions
Wafer Diameter
Wafer Thickness, Tolerance
Relevant Die Mechanical Dwg. Number
Minimum Street Width
Reject Ink Dot Size
Ink Dot Location
Recommended Storage Environment
Recommended Die Attach Conditions
Al - Ti - Ni/V - Ag, (1kA - 1kA - 4kA - 6kA)
99% Al/1% Si, (4µm)
0.443" x 0.443"
150mm, with std. < 100 > flat
185µm, +/-15µm
01-5378
100µm
0.25mm diameter minimum
Consistent throughout same wafer lot
Store in original container, in dessicated
nitrogen, with no contamination
For optimum electrical results, die attach
temperature should not exceed 300°C
Die Outline
11.25
[.443]
9.854
[.388]
NOTES :
1. ALL DIMENS IONS ARE S HOWN IN MILLIMET ERS [INCHES ].
2. CONTROLLING DIMENS ION: [INCH].
3. LETTE R DES IGNAT ION:
S = S OURCE
G = GAT E
S K = S OURCE KELVIN
IS = CURRENTS ENS E
E = E MITT ER
4. DIME NS IONAL T OLERANCES :
BONDING PADS :
< 0.635 T OLERANCE = + /- 0.013
< [.0250] TOLERANCE = + /- [.0005]
> 0.635 T OLERANCE = + /- 0.025
> [.0250] TOLERANCE = + /- [.0010]
< 1.270 T OLERANCE = + /- 0.102
< [.050] TOLERANCE = + /- [.004]
> 1.270 T OLERANCE = + /- 0.203
> [.050] TOLERANCE = + /- [.008]
9.773
[.385]
EMITT ER
1.32
[.052]
G
1.99
[.078]
WIDTH
&
LENGTH
OVE RALL DIE:
WIDTH
&
LENGTH
01-5378
www.irf.com
2/14/2000

IRGC75B120UBPBF相似产品对比

IRGC75B120UBPBF
描述 1200V, N-CHANNEL IGBT, DIE-2
是否Rohs认证 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌)
包装说明 UNCASED CHIP, O-XUUC-N
Reach Compliance Code compliant
集电极-发射极最大电压 1200 V
配置 SINGLE
JESD-30 代码 O-XUUC-N
元件数量 1
端子数量 2
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 ROUND
封装形式 UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 NOT SPECIFIED
端子形式 NO LEAD
端子位置 UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 40
晶体管应用 POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON
不得不说~~关于 *(unsigned long *) 和 (unsigned long)
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