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IRGC5B120KB: 产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, 150 MM, WAFER; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小109KB，共1页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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IRGC5B120KB概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, 150 MM, WAFER

	IRGC5B120KB
描述	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, 150 MM, WAFER
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
包装说明	150 MM, WAFER
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
集电极-发射极最大电压	1200 V
配置	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值	6 V
JESD-30 代码	O-XUUC-N
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	2
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	ROUND
封装形式	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	NO LEAD
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料	SILICON

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