IRGC14C40LDPBF,IRGC14C40LDPBF pdf中文资料,IRGC14C40LDPBF引脚图,IRGC14C40LDPBF电路-Datasheet-电子工程世界

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IRGC14C40LDPBF: 产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 370V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小17KB，共1页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/; 标准

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IRGC14C40LDPBF概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 370V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2

IRGC14C40LDPBF规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	DIE
包装说明	UNCASED CHIP, R-XUUC-N2
针数	2
Reach Compliance Code	compliant
最大集电极电流 (IC)	14 A
集电极-发射极最大电压	370 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN TVS DIODE AND RESISTOR
JESD-30 代码	R-XUUC-N2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	NO LEAD
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	AUTOMOTIVE IGNITION
晶体管元件材料	SILICON

IRGC14C40LDPBF相似产品对比

	IRGC14C40LDPBF	IRGC14C40LBPBF	IRGC14C40LCPBF
描述	Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 370V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2	Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 370V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2	Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 370V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	DIE	DIE	DIE
包装说明	UNCASED CHIP, R-XUUC-N2	UNCASED CHIP, R-XUUC-N2	UNCASED CHIP, R-XUUC-N2
针数	2	2	2
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant
最大集电极电流 (IC)	14 A	14 A	14 A
集电极-发射极最大电压	370 V	370 V	370 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN TVS DIODE AND RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN TVS DIODE AND RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN TVS DIODE AND RESISTOR
JESD-30 代码	R-XUUC-N2	R-XUUC-N2	R-XUUC-N2
元件数量	1	1	1
端子数量	2	2	2
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	UPPER	UPPER	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	40
晶体管应用	AUTOMOTIVE IGNITION	AUTOMOTIVE IGNITION	AUTOMOTIVE IGNITION
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON

推荐资源

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W