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IRGC14C40LCPBF

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 370V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小17KB,共1页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IRGC14C40LCPBF概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 370V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2

IRGC14C40LCPBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明UNCASED CHIP, R-XUUC-N2
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)14 A
集电极-发射极最大电压370 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
JESD-30 代码R-XUUC-N2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AUTOMOTIVE IGNITION
晶体管元件材料SILICON

IRGC14C40LCPBF相似产品对比

IRGC14C40LCPBF 2SC2734 IRGC14C40LB IRGC14C40LDPBF
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 370V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2 Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 370V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2 Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 370V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2
是否Rohs认证 符合 - 不符合 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) - Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
包装说明 UNCASED CHIP, R-XUUC-N2 - DIE-2 UNCASED CHIP, R-XUUC-N2
Reach Compliance Code compliant - unknown compliant
最大集电极电流 (IC) 14 A - 14 A 14 A
集电极-发射极最大电压 370 V - 370 V 370 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR - SINGLE WITH BUILT-IN TVS DIODE AND RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
JESD-30 代码 R-XUUC-N2 - R-XUUC-N2 R-XUUC-N2
元件数量 1 - 1 1
端子数量 2 - 2 2
封装主体材料 UNSPECIFIED - UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 UNCASED CHIP - UNCASED CHIP UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL - N-CHANNEL N-CHANNEL
表面贴装 YES - YES YES
端子形式 NO LEAD - NO LEAD NO LEAD
端子位置 UPPER - UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AUTOMOTIVE IGNITION - AUTOMOTIVE IGNITION AUTOMOTIVE IGNITION
晶体管元件材料 SILICON - SILICON SILICON

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