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IRGBC46

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小35KB,共1页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
下载文档 详细参数 全文预览

IRGBC46概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB

IRGBC46规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性FAST
最大集电极电流 (IC)50 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE
门极发射器阈值电压最大值5 V
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)160 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
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