Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, SMD-220, 3 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | International Rectifier （ Infineon ） |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 其他特性 | SHORT CIRCUIT RATED |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 40 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 600 V |
| 配置 | SINGLE |
| 门极发射器阈值电压最大值 | 5.5 V |
| 门极-发射极最大电压 | 20 V |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 160 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 晶体管应用 | MOTOR CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 380 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 28 ns |
| VCEsat-Max | 3 V |
| IRGBC40M-STRLPBF | 2SC2412-SOT23 | IRGBC40M-STRR | IRGBC40M-STRL | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, SMD-220, 3 PIN | NPN Transistors | Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, SMD-220, 3 PIN | Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, SMD-220, 3 PIN |
| 是否无铅 | 不含铅 | - | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | - | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | International Rectifier （ Infineon ） | - | International Rectifier （ Infineon ） | International Rectifier （ Infineon ） |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | - | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数 | 3 | - | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant | - | compliant | compliant |
| 其他特性 | SHORT CIRCUIT RATED | - | SHORT CIRCUIT RATED | SHORT CIRCUIT RATED |
| 外壳连接 | COLLECTOR | - | COLLECTOR | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 40 A | - | 40 A | 40 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 600 V | - | 600 V | 600 V |
| 配置 | SINGLE | - | SINGLE | SINGLE |
| 门极发射器阈值电压最大值 | 5.5 V | - | 5.5 V | 5.5 V |
| 门极-发射极最大电压 | 20 V | - | 20 V | 20 V |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | - | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
| 元件数量 | 1 | - | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | - | 2 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C | - | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | - | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | - | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 160 W | - | 160 W | 160 W |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | - | YES | YES |
| 端子形式 | GULL WING | - | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE | - | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | MOTOR CONTROL | - | MOTOR CONTROL | MOTOR CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON | - | SILICON | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 380 ns | - | 380 ns | 380 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 28 ns | - | 28 ns | 28 ns |
| VCEsat-Max | 3 V | - | 3 V | 3 V |
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嵌入式系统
单片机
stm32/stm8
工作这点儿事
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