OM6532SST,OM6532SST pdf中文资料,OM6532SST引脚图,OM6532SST电路-Datasheet-电子工程世界

OM6532SST: 产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-7; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小22KB，共2页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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OM6532SST概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-7

OM6532SST规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	SIP
包装说明	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P7
针数	6
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	HIGH SPEED
外壳连接	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	15 A
集电极-发射极最大电压	1000 V
配置	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码	R-MSFM-P7
JESD-609代码	e0
元件数量	2
端子数量	7
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	TIN LEAD
端子形式	PIN/PEG
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON
标称断开时间 (toff)	500 ns
标称接通时间 (ton)	250 ns

OM6532SST相似产品对比

	OM6532SST	OM6531SSV	OM6531SST	OM6532SSV
描述	Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-7	Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-7	Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-7	Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-7
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	SIP	SIP	SIP	SIP
包装说明	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P7	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P7	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P7	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P7
针数	6	6	6	6
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
其他特性	HIGH SPEED	HIGH SPEED	HIGH SPEED	HIGH SPEED
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	15 A	15 A	15 A	15 A
集电极-发射极最大电压	1000 V	1000 V	1000 V	1000 V
配置	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码	R-MSFM-P7	R-MSFM-P7	R-MSFM-P7	R-MSFM-P7
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
元件数量	2	2	2	2
端子数量	7	7	7	7
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	POWER CONTROL	POWER CONTROL	POWER CONTROL	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称断开时间 (toff)	500 ns	500 ns	500 ns	500 ns
标称接通时间 (ton)	250 ns	250 ns	250 ns	250 ns

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