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OM6531SST

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED, METAL, SIP-6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小79KB,共2页
制造商Omnirel Corp
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OM6531SST概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED, METAL, SIP-6

OM6531SST规格参数

参数名称属性值
厂商名称Omnirel Corp
包装说明HERMETIC SEALED, METAL, SIP-6
Reach Compliance Codeunknown
其他特性HIGH SPEED
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)15 A
集电极-发射极最大电压1000 V
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码R-MSFM-T6
元件数量2
端子数量6
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)200 ns
标称接通时间 (ton)50 ns

OM6531SST相似产品对比

OM6531SST 2SC2120
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED, METAL, SIP-6 isc Silicon NPN Transistor
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