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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRGAC40F
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IRGAC40F

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 38A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-204AE,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小41KB，共1页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
下载文档 详细参数 全文预览

IRGAC40F概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 38A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-204AE,

IRGAC40F规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Codeunknown
其他特性FAST
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)38 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE
JEDEC-95代码TO-204AE
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON

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