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OM6524STT

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小78KB,共2页
制造商Omnirel Corp
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OM6524STT概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-3

OM6524STT规格参数

参数名称属性值
厂商名称Omnirel Corp
包装说明HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性HIGH SPEED
最大集电极电流 (IC)8 A
集电极-发射极最大电压1000 V
配置SINGLE
JEDEC-95代码TO-257AA
JESD-30 代码R-MSFM-P3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)200 ns
标称接通时间 (ton)50 ns

OM6524STT相似产品对比

OM6524STT 2SB1100 OM6525SAV OM6524STV
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-3 isc Silicon PNP Darlington Power Transistor Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-254AA, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-3 Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-3
厂商名称 Omnirel Corp - Omnirel Corp Omnirel Corp
包装说明 HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-3 - HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-3 HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-3
Reach Compliance Code unknown - unknown unknown
其他特性 HIGH SPEED - HIGH SPEED HIGH SPEED
最大集电极电流 (IC) 8 A - 8 A 8 A
集电极-发射极最大电压 1000 V - 1000 V 1000 V
配置 SINGLE - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE
JEDEC-95代码 TO-257AA - TO-254AA TO-257AA
JESD-30 代码 R-MSFM-P3 - S-MSFM-P3 R-MSFM-P3
元件数量 1 - 1 1
端子数量 3 - 3 3
封装主体材料 METAL - METAL METAL
封装形状 RECTANGULAR - SQUARE RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT - FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL - N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO - NO NO
端子形式 PIN/PEG - PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 SINGLE - SINGLE SINGLE
晶体管应用 POWER CONTROL - POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON - SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 200 ns - 200 ns 200 ns
标称接通时间 (ton) 50 ns - 50 ns 50 ns

 
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