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OM6514SST

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED, METAL, SIP-6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小80KB,共2页
制造商Omnirel Corp
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OM6514SST概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED, METAL, SIP-6

OM6514SST规格参数

参数名称属性值
厂商名称Omnirel Corp
包装说明HERMETIC SEALED, METAL, SIP-6
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)8 A
集电极-发射极最大电压1000 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
JESD-30 代码R-MSFM-T6
元件数量2
端子数量6
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称接通时间 (ton)60 ns

OM6514SST相似产品对比

OM6514SST OM6514SSV
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED, METAL, SIP-6 Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED, METAL, SIP-6
厂商名称 Omnirel Corp Omnirel Corp
包装说明 HERMETIC SEALED, METAL, SIP-6 HERMETIC SEALED, METAL, SIP-6
Reach Compliance Code unknown unknown
其他特性 LOW CONDUCTION LOSS LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 8 A 8 A
集电极-发射极最大电压 1000 V 1000 V
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS
JESD-30 代码 R-MSFM-T6 R-MSFM-T6
元件数量 2 2
端子数量 6 6
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称接通时间 (ton) 60 ns 60 ns
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