Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRG4CH40UBPBF

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IRG4CH40UBPBF: 产品描述1200V, N-CHANNEL IGBT, 6 INCH, WAFER; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小118KB，共1页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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IRG4CH40UBPBF概述

1200V, N-CHANNEL IGBT, 6 INCH, WAFER

IRG4CH40UBPBF规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
包装说明	UNCASED CHIP, O-XUUC-N
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	ULTRA FAST SPEED
集电极-发射极最大电压	1200 V
配置	SINGLE
JESD-30 代码	O-XUUC-N
元件数量	1
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	ROUND
封装形式	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	NO LEAD
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON

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PD- 91769

IRG4CH40UB

IRG4CH40UB IGBT Die in Wafer Form

1200 V

Size 4

Ultra-Fast Speed

6" Wafer

Electrical Characteristics ( Wafer Form )

Parameter

CE (on)

(BR)CES

GE(th)

CES

GES

Description

Collector-to-Emitter Saturation Voltage

Colletor-to-Emitter Breakdown Voltage

Gate Threshold Voltage

Zero Gate Voltage Collector Current

Gate-to-Emitter Leakage Current

Guaranteed (Min/Max)

4.5V Max.

1200V Min.

3.0V Min., 6.0V Max.

300 µA Max.

11 µA Max.

Test Conditions

= 10A, T

= 25°C, V

= 15V

= 25°C, I

CES

= 250µA, V

= 0V

= V

, T

=25°C, I

=250µA

= 25°C, V

= 1200V

= 25°C, V

= +/- 20V

Mechanical Data

Norminal Backmetal Composition, Thickness:

Norminal Front Metal Composition, Thickness:

Dimensions:

Wafer Diameter:

Wafer thickness:

Relevant Die Mechanical Dwg. Number

Minimum Street Width

Reject Ink Dot Size

Ink Dot Location

Recommended Storage Environment:

Recommended Die Attach Conditions

Reference Standard IR packaged part ( for design ) : IRG4PH40U

Cr-Ni / V-Ag ( 1kA-2kA-.2.5kA )

99% Al, 1% Si (4 microns)

0.170" x 0.243"

150mm, with std. < 100 > flat

.015" + / -.003"

01-5242

100 Microns

0.25mm Diameter Minimum

Consistent throughout same wafer lot

Store in original container, in dessicated

nitrogen, with no contamination

For optimum electrical results, die attach

temperature should not exceed 300C

Die Outline

9/24/98

IRG4CH40UBPBF相似产品对比

	IRG4CH40UBPBF	IRG4CH40UB
描述	1200V, N-CHANNEL IGBT, 6 INCH, WAFER	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, 6 INCH, WAFER
是否Rohs认证	符合	不符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
包装说明	UNCASED CHIP, O-XUUC-N	6 INCH, WAFER
Reach Compliance Code	compliant	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
其他特性	ULTRA FAST SPEED	ULTRA FAST SPEED
集电极-发射极最大电压	1200 V	1200 V
配置	SINGLE	SINGLE
JESD-30 代码	O-XUUC-N	O-XUUC-N
元件数量	1	1
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子形式	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	UPPER	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	POWER CONTROL	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

推荐资源

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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