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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRG4CH40UB
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IRG4CH40UB

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, 6 INCH, WAFER
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小34KB，共1页
制造商International Rectifier （ Infineon ）
官网地址http://www.irf.com/
下载文档 详细参数 全文预览

IRG4CH40UB概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, 6 INCH, WAFER

IRG4CH40UB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码WAFER
包装说明UNCASED CHIP, O-XUUC-N
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性ULTRA FAST SPEED
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE
门极发射器阈值电压最大值6 V
JESD-30 代码O-XUUC-N
JESD-609代码e0
元件数量1
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON

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PD- 91769
IRG4CH40UB
IRG4CH40UB IGBT Die in Wafer Form
C
G
E
1200 V
Size 4
Ultra-Fast Speed
6" Wafer
Electrical Characteristics ( Wafer Form )
Parameter
V
CE (on)
V
(BR)CES
V
GE(th)
I
CES
I
GES
Description
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Colletor-to-Emitter Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Zero Gate Voltage Collector Current
Gate-to-Emitter Leakage Current
Guaranteed (Min/Max)
4.5V Max.
1200V Min.
3.0V Min., 6.0V Max.
300 µA Max.
±
11 µA Max.
Test Conditions
I
C
= 10A, T
J
= 25°C, V
GE
= 15V
T
J
= 25°C, I
CES
= 250µA, V
GE
= 0V
V
GE
= V
CE
, T
J
=25°C, I
C
=250µA
T
J
= 25°C, V
CE
= 1200V
T
J
= 25°C, V
GE
= +/- 20V
Mechanical Data
Norminal Backmetal Composition, Thickness:
Norminal Front Metal Composition, Thickness:
Dimensions:
Wafer Diameter:
Wafer thickness:
Relevant Die Mechanical Dwg. Number
Minimum Street Width
Reject Ink Dot Size
Ink Dot Location
Recommended Storage Environment:
Recommended Die Attach Conditions
Reference Standard IR packaged part ( for design ) : IRG4PH40U
Cr-Ni / V-Ag ( 1kA-2kA-.2.5kA )
99% Al, 1% Si (4 microns)
0.170" x 0.243"
150mm, with std. < 100 > flat
.015" + / -.003"
01-5242
100 Microns
0.25mm Diameter Minimum
Consistent throughout same wafer lot
Store in original container, in dessicated
nitrogen, with no contamination
For optimum electrical results, die attach
temperature should not exceed 300C
Die Outline
9/24/98

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