电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

IRFZ44STRL

产品描述Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小323KB,共10页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

IRFZ44STRL在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
IRFZ44STRL - - 点击查看 点击购买

IRFZ44STRL概述

Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN

IRFZ44STRL规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码D2PAK
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)100 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)50 A
最大漏极电流 (ID)50 A
最大漏源导通电阻0.028 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值150 W
最大功率耗散 (Abs)150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)200 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

文档预览

下载PDF文档
PD - 9.893A
IRFZ44S/L
HEXFET
®
Power MOSFET
l
l
l
l
l
Advanced Process Technology
Surface Mount (IRFZ44S)
Low-profile through-hole (IRFZ44L)
175°C Operating Temperature
Fast Switching
D
V
DSS
= 60V
R
DS(on)
= 0.028Ω
G
I
D
= 50A†
Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This
benefit, combined with the fast switching speed and
ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs
are well known for, provides the designer with an extremely
efficient and reliable device for use in a wide variety of
applications.
The D
2
Pak is a surface mount power package capable of
accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the
highest power capability and the lowest possible on-
resistance in any existing surface mount package. The
D
2
Pak is suitable for high current applications because of
its low internal connection resistance and can dissipate
up to 2.0W in a typical surface mount application.
The through-hole version (IRFZ44L) is available for low-
profile applications.
S
D 2 Pak
T O -2 6 2
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
dv/dt
T
J
T
STG
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V…
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V…
Pulsed Drain Current
…
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy‚…
Peak Diode Recovery dv/dt
ƒ…
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Max.
50
†
36
200
3.7
150
1.0
± 20
100
4.5
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
Units
A
W
W
W/°C
V
mJ
V/ns
°C
°C
Thermal Resistance
Parameter
R
θJC
R
θJA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient ( PCB Mounted,steady-state)**
Typ.
–––
–––
Max.
1.0
40
Units
°C/W
8/25/97

IRFZ44STRL相似产品对比

IRFZ44STRL IRFZ44STRR
描述 Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码 D2PAK D2PAK
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 4 4
Reach Compliance Code compliant unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 100 mJ 100 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 50 A 50 A
最大漏极电流 (ID) 50 A 50 A
最大漏源导通电阻 0.028 Ω 0.028 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-263AB TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0 e0
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 150 W 150 W
最大功率耗散 (Abs) 150 W 150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 200 A 200 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
富士通铁电随机存储器FRAM主题馆上线啦,入馆涨知识,有惊喜!
1969年起,富士通开始提供存储器,至今已走过了46个年头。 现在,富士通半导体主要提供高质量、高可靠性的非易失性存储器“FRAM(Ferroelectric Random AccessMemory)”。 1995年起,公 ......
EEWORLD社区 机器人开发
【liklon玩GD32F350】一、开箱测试demo
板卡图片: 373483 1、资料下载(移步活动主页中资料下载选项):373481 2.测试demo demo工程文件中文件路径是基于KEIL_V5安装在C盘下。如果keil_v5不在C盘下,则直接打开工程 ......
liklon GD32 MCU
TI 电源设计小贴士 15
欢迎来到电源设计小贴士!随着现在对更高效、更低成本电源解决方案需求的强调,我们创建了该专栏,就各种电源管理课题提出一些对您有帮助的小技巧。该专栏面向各级设计工程师。无论您是从事电源 ......
trevor 模拟与混合信号
人说做模拟要5年才算入行?
你觉得呢? 个人感觉5年都不算久。...
幸福的娃 模拟电子
富士通MB9BF506R的CAN通信问题
有没有哪位大神用过MB9BF506R来做CAN通信;我想问问若是接收错误太多,是不是CAN总线会处于关闭状态;此时需要怎么再开启从新接收呢?...
liqiu880905 DIY/开源硬件专区
允许唤醒系统的中断源,在哪个寄存器设置??
为什么我有的外部中断能唤醒,有的却不能呢?? 还想问一下是不是有一个专门的寄存器能设置只允许某些外部中断可以唤醒系统?? 看了三星的datasheet,貌似是不用设置任何一个EINT都能 ......
白开水 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1951  1790  231  2184  1589  31  35  32  45  58 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved