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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRFY9310F-QR-BR1
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IRFY9310F-QR-BR1

产品描述1.1A, 400V, 7ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, METAL, TO-220FLEX, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小20KB，共2页
制造商SEMELAB
标准  
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IRFY9310F-QR-BR1概述

1.1A, 400V, 7ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, METAL, TO-220FLEX, 3 PIN

IRFY9310F-QR-BR1规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称SEMELAB
零件包装代码TO-220FL
包装说明FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压400 V
最大漏极电流 (ID)1.1 A
最大漏源导通电阻7 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-MSFM-P3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)7.2 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON

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IRFY9310F
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
10.40
10.80
3.0
4.50
4.81
0.75
0.95
16.30
16.70
3.50
Dia.
3.70
10.50
10.67
P–CHANNEL
POWER MOSFET
FOR HI–REL
APPLICATIONS
V
DSS
I
D(cont)
R
DS(on)
FEATURES
0.75
0.85
1 2 3
➀
2.1
max.
➁
1.0 dia.
3 places
400V
1.8A
7.0
W
20 Min.
2.54
BSC
2.65
2.96
• HERMETICALLY SEALED TO–220 METAL
PACKAGE WITH FLEXIBLE LEADS
• SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS
• LIGHTWEIGHT
TO220 FLEX
PIN1 – Gate
PIN 2 – Drain
PIN 3 – Source
• SCREENING OPTIONS AVAILABLE
• ALL LEADS ISOLATED FROM CASE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
stg
T
L
R
q
JC
Notes
1) Pulse Test: Pulse Width
£
300ms,
d £
2%
Gate – Source Voltage
Continuous Drain Current
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
1
Power Dissipation @ T
case
= 25°C
Linear Derating Factor
Operating and Storage Temperature Range
Package Mounting Surface Temperature (for 5 sec)
Thermal Resistance Junction to Case
(V
GS
= 0 , T
case
= 25°C)
(V
GS
= 0 , T
case
= 100°C)
±20V
A
1.1A
7.2A
50W
0.4W/°C
–55 to 150°C
300°C
2.5°C/W max.
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
Prelim. 9/00

IRFY9310F-QR-BR1相似产品对比

IRFY9310F-QR-BR1 IRFY9310FR1 IRFY9310F-QR-B
描述 1.1A, 400V, 7ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, METAL, TO-220FLEX, 3 PIN 1.1A, 400V, 7ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, METAL, TO-220FLEX, 3 PIN 1.1A, 400V, 7ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, METAL, TO-220FLEX, 3 PIN
是否无铅 不含铅 不含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 符合 不符合
厂商名称 SEMELAB SEMELAB SEMELAB
零件包装代码 TO-220FL TO-220FL TO-220FL
包装说明 FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 400 V 400 V 400 V
最大漏极电流 (ID) 1.1 A 1.1 A 1.1 A
最大漏源导通电阻 7 Ω 7 Ω 7 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-MSFM-P3 R-MSFM-P3 R-MSFM-P3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 7.2 A 7.2 A 7.2 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
JESD-609代码 e1 e1 -
端子面层 TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER -

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