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IRFY9140MEC

产品描述Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1MB,共33页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IRFY9140MEC概述

Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB,

IRFY9140MEC规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)13 A
最大漏源导通电阻0.24 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-257AB
JESD-30 代码S-MSFM-P3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料METAL
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)52 A
认证状态Not Qualified
参考标准CECC
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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