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IRFY9130CSCXPBF

产品描述Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.31ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小36KB,共1页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
标准  
下载文档 详细参数 全文预览

IRFY9130CSCXPBF概述

Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.31ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB

IRFY9130CSCXPBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)9.3 A
最大漏源导通电阻0.31 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-257AB
JESD-30 代码S-MSFM-P3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料METAL
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管元件材料SILICON

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