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IRFY420C

产品描述Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB, HERMETIC SEALED, METAL, TO-220M, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小11KB,共1页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
标准
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IRFY420C概述

Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB, HERMETIC SEALED, METAL, TO-220M, 3 PIN

IRFY420C规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称TT Electronics plc
包装说明HERMETIC SEALED, METAL, TO-220M, 3 PIN
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (ID)25 A
最大漏源导通电阻0.23 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-257AB
JESD-30 代码S-MSFM-P3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料METAL
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON

IRFY420C相似产品对比

IRFY420C IRFY420C-JQR-BR1 2SA1283
描述 Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB, HERMETIC SEALED, METAL, TO-220M, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB, HERMETIC SEALED, METAL, TO-220M, 3 PIN Silicon PNP transistor in a TO-92LM Plastic Package
是否Rohs认证 符合 符合 -
厂商名称 TT Electronics plc TT Electronics plc -
包装说明 HERMETIC SEALED, METAL, TO-220M, 3 PIN HERMETIC SEALED, METAL, TO-220M, 3 PIN -
Reach Compliance Code compliant compliant -
外壳连接 SOURCE SOURCE -
配置 SINGLE SINGLE -
最小漏源击穿电压 500 V 500 V -
最大漏极电流 (ID) 25 A 25 A -
最大漏源导通电阻 0.23 Ω 0.23 Ω -
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR -
JEDEC-95代码 TO-257AB TO-257AB -
JESD-30 代码 S-MSFM-P3 S-MSFM-P3 -
元件数量 1 1 -
端子数量 3 3 -
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE -
封装主体材料 METAL METAL -
封装形状 SQUARE SQUARE -
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT -
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 NO NO -
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG -
端子位置 SINGLE SINGLE -
晶体管元件材料 SILICON SILICON -

 
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