Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB, HERMETIC SEALED, METAL, TO-220M, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | TT Electronics plc |
包装说明 | HERMETIC SEALED, METAL, TO-220M, 3 PIN |
Reach Compliance Code | compliant |
外壳连接 | SOURCE |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 500 V |
最大漏极电流 (ID) | 25 A |
最大漏源导通电阻 | 0.23 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-257AB |
JESD-30 代码 | S-MSFM-P3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | PIN/PEG |
端子位置 | SINGLE |
晶体管元件材料 | SILICON |
IRFY420C | IRFY420C-JQR-BR1 | 2SA1283 | |
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描述 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB, HERMETIC SEALED, METAL, TO-220M, 3 PIN | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB, HERMETIC SEALED, METAL, TO-220M, 3 PIN | Silicon PNP transistor in a TO-92LM Plastic Package |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | - |
厂商名称 | TT Electronics plc | TT Electronics plc | - |
包装说明 | HERMETIC SEALED, METAL, TO-220M, 3 PIN | HERMETIC SEALED, METAL, TO-220M, 3 PIN | - |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | - |
外壳连接 | SOURCE | SOURCE | - |
配置 | SINGLE | SINGLE | - |
最小漏源击穿电压 | 500 V | 500 V | - |
最大漏极电流 (ID) | 25 A | 25 A | - |
最大漏源导通电阻 | 0.23 Ω | 0.23 Ω | - |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
JEDEC-95代码 | TO-257AB | TO-257AB | - |
JESD-30 代码 | S-MSFM-P3 | S-MSFM-P3 | - |
元件数量 | 1 | 1 | - |
端子数量 | 3 | 3 | - |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - |
封装主体材料 | METAL | METAL | - |
封装形状 | SQUARE | SQUARE | - |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | - |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | - |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - |
表面贴装 | NO | NO | - |
端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG | - |
端子位置 | SINGLE | SINGLE | - |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | - |
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