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IRFY340(M)PBF

产品描述400V, 0.55ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小145KB,共7页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
标准  
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IRFY340(M)PBF概述

400V, 0.55ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA

IRFY340(M)PBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE
最小漏源击穿电压400 V
最大漏源导通电阻0.55 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-257AA
JESD-30 代码S-MSFM-P3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料METAL
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
参考标准CECC
表面贴装NO
端子面层NOT SPECIFIED
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管元件材料SILICON

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PD - 94189
POWER MOSFET
THRU-HOLE (TO-257AA)
Product Summary
Part Number
IRFY340
IRFY340M
IRFY340,IRFY340M
400V, N-CHANNEL
HEXFET
MOSFET TECHNOLOGY
®
R
DS(on)
0.55
0.55
I
D
8.7A
8.7A
Eyelets
Glass
Glass
HEXFET
®
MOSFET technology is the key to International
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors. The
efficient geometry design achieves very low on-state re-
sistance combined with high transconductance.
HEXFET
transistors also feature all of the well-established advan-
tages of MOSFETs, such as voltage control, very fast switch-
ing, ease of paralleling and electrical parameter temperature
stability. They are well-suited for applications such as switch-
ing power supplies, motor controls, inverters, choppers,
audio amplifiers, high energy pulse circuits, and virtually
any application where high reliability is required. The
HEXFET
transistor’s totally isolated package eliminates the
need for additional isolating material between the device
and the heatsink. This improves thermal efficiency and
reduces drain capacitance.
TO-257AA
Features:
n
n
n
n
n
n
Simple Drive Requirements
Ease of Paralleling
Hermetically Sealed
Electrically Isolated
Glass Eyelets
For Space Level Applications
Refer to Ceramic Version Part
Numbers IRFY340C, IRFY340CM
Absolute Maximum Ratings
Parameter
ID @ VGS = 10V, TC = 25°C
ID @ VGS = 10V, TC = 100°C
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv/dt
TJ
T STG
Continuous Drain Current
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
Max. Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction
Storage Temperature Range
Lead Temperature
Weight
For footnotes refer to the last page
8.7
5.5
35
100
0.8
±20
520
8.7
10
4.0
-55 to 150
o
Units
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
C
300(0.063in./1.6mm from case for 10 sec)
3.3 (Typical)
g
www.irf.com
1
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