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NE650R479A-A

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, 79A, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小219KB,共8页
制造商NEC(日电)
标准
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NE650R479A-A概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, 79A, 4 PIN

NE650R479A-A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称NEC(日电)
包装说明79A, 4 PIN
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压6 V
最大漏极电流 (ID)0.6 A
FET 技术METAL SEMICONDUCTOR
最高频带S BAND
JESD-30 代码R-XQMW-F4
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
工作模式DEPLETION MODE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROWAVE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE

NE650R479A-A相似产品对比

NE650R479A-A NE650R479A-T1-A NE650R479A
描述 RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, 79A, 4 PIN RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, 79A, 4 PIN RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, 79A, 4 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 不符合
厂商名称 NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电)
包装说明 79A, 4 PIN MICROWAVE, R-XQMW-F4 79A, 4 PIN
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
外壳连接 SOURCE SOURCE SOURCE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 6 V 6 V 6 V
最大漏极电流 (ID) 0.6 A 0.6 A 0.6 A
FET 技术 METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR
最高频带 S BAND S BAND S BAND
JESD-30 代码 R-XQMW-F4 R-XQMW-F4 R-XQMW-F4
元件数量 1 1 1
端子数量 4 4 4
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROWAVE MICROWAVE MICROWAVE
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT
端子位置 QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 10 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE
JESD-609代码 - e6 e0
端子面层 - TIN BISMUTH TIN LEAD
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