IRFU322: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 400V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小154KB，共7页; 制造商Harris; 官网地址http://www.harris.com/

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IRFU322概述

Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 400V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA

IRFU322规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Harris
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code	unknown
雪崩能效等级（Eas）	190 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	2.6 A
最大漏极电流 (ID)	2.6 A
最大漏源导通电阻	2.5 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-251AA
JESD-30 代码	R-PSIP-T3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	50 W
最大功率耗散 (Abs)	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	10 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	65 ns
最大开启时间（吨）	36 ns

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IRFU322相似产品对比

	IRFU322	IRFU321	IRFU320
描述	Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 400V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA	Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 350V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA	Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Harris	Harris	Harris
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
雪崩能效等级（Eas）	190 mJ	190 mJ	190 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	400 V	350 V	400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	2.6 A	3.1 A	3.1 A
最大漏极电流 (ID)	2.6 A	3.1 A	3.1 A
最大漏源导通电阻	2.5 Ω	1.8 Ω	1.8 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-251AA	TO-251AA	TO-251AA
JESD-30 代码	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3
JESD-609代码	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	50 W	50 W	50 W
最大功率耗散 (Abs)	50 W	50 W	42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	10 A	12 A	12 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
最大关闭时间（toff）	65 ns	65 ns	65 ns
最大开启时间（吨）	36 ns	36 ns	36 ns
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-

推荐资源

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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