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IRFU321

产品描述TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,3.1A I(D),TO-251AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小154KB,共7页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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IRFU321概述

TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,3.1A I(D),TO-251AA

IRFU321规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Codenot_compliant
Factory Lead Time1 week
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)3.1 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)50 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

IRFU321相似产品对比

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描述 TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,3.1A I(D),TO-251AA TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,2.6A I(D),TO-252AA TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,2.6A I(D),TO-251AA TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,3.1A I(D),TO-252AA
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
配置 Single Single Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 3.1 A 2.6 A 2.6 A 3.1 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 50 W 50 W 50 W 50 W
表面贴装 NO YES NO YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)

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