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IRFU214A

产品描述Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小217KB,共6页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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IRFU214A概述

Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3

IRFU214A规格参数

参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)61 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2.2 A
最大漏极电流 (ID)2.2 A
最大漏源导通电阻2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)8.5 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON

IRFU214A相似产品对比

IRFU214A IRFR214A
描述 Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3 Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 61 mJ 61 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 250 V 250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 2.2 A 2.2 A
最大漏极电流 (ID) 2.2 A 2.2 A
最大漏源导通电阻 2 Ω 2 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2
元件数量 1 1
端子数量 3 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 25 W 25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 8.5 A 8.5 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管元件材料 SILICON SILICON

 
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