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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> NESG250134-T1FB-A
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NESG250134-T1FB-A

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN, MINIMOLD PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小123KB，共14页
制造商NEC(日电)
标准
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NESG250134-T1FB-A概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN, MINIMOLD PACKAGE-3

NESG250134-T1FB-A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称NEC(日电)
包装说明MINIMOLD PACKAGE-3
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接EMITTER
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压4.5 V
配置SINGLE
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PSSO-F3
JESD-609代码e6
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN BISMUTH
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)10000 MHz

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DATA SHEET
NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR
NESG250134
NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR
MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (800 mW)
3-PIN POWER MINIMOLD (34 PACKAGE)
FEATURES
• This product is suitable for medium output power (800 mW) amplification
P
O
= 29 dBm TYP. @ V
CE
= 3.6 V, P
in
= 15 dBm, f = 460 MHz
P
O
= 29 dBm TYP. @ V
CE
= 3.6 V, P
in
= 20 dBm, f = 900 MHz
• MSG (Maximum Stable Gain) = 23 dB TYP., @ V
CE
= 3.6 V, Ic = 100 mA, f = 460 MHz
• Using UHS2-HV process (SiGe technology), V
CBO
(ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS) = 20 V
• 3-pin power minimold (34 package)
ORDERING INFORMATION
Part Number
NESG250134
NESG250134-T1
Quantity
25 pcs (Non reel)
1 kpcs/reel
Supplying Form
• 12 mm wide embossed taping
• Pin 2 (Emitter) face the perforation side of the tape
Remark
To order evaluation samples, contact your nearby sales office.
Unit sample quantity is 25 pcs.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= +25°C)
Parameter
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
2
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
Note
Ratings
20
9.2
2.8
500
1.5
150
−65
to +150
Unit
V
V
V
mA
W
°C
°C
T
j
T
stg
Note
Mounted on 34.2 cm
×
0.8 mm (t) glass epoxy PWB
Caution Observe precautions when handling because these devices are sensitive to electrostatic discharge.
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please confirm that
this is the latest version.
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC Compound Semiconductor Devices
representative for availability and additional information.
Document No. PU10422EJ02V0DS (2nd edition)
Date Published July 2004 CP(K)
Printed in Japan
The mark
shows major revised points.
NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd. 2003, 2004

NESG250134-T1FB-A相似产品对比

NESG250134-T1FB-A NESG250134-FB NESG250134-FB-A
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN, MINIMOLD PACKAGE-3 UHF BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-3 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN, MINIMOLD PACKAGE-3
是否Rohs认证 符合 不符合 符合
厂商名称 NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电)
包装说明 MINIMOLD PACKAGE-3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 MINIMOLD PACKAGE-3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
外壳连接 EMITTER EMITTER EMITTER
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 4.5 V 4.5 V 4.5 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3
JESD-609代码 e6 e0 e6
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260 NOT SPECIFIED 260
极性/信道类型 NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子面层 TIN BISMUTH TIN LEAD TIN BISMUTH
端子形式 FLAT FLAT FLAT
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 10 NOT SPECIFIED 10
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON GERMANIUM SILICON GERMANIUM SILICON GERMANIUM
标称过渡频率 (fT) 10000 MHz 10000 MHz 10000 MHz
湿度敏感等级 1 - 1

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