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NP32N06CLD: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小38KB，共4页; 制造商NEC(日电)

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NP32N06CLD概述

Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN

	NP32N06CLD	NP32N06ELD
描述	Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, MP-25ZJ, 3 PIN
是否无铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	NEC(日电)	NEC(日电)
零件包装代码	TO-220AB	D2PAK
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3	3
Reach Compliance Code	compliant	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99
外壳连接	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V	60 V
最大漏极电流 (ID)	32 A	32 A
最大漏源导通电阻	0.05 Ω	0.05 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e0	e0
元件数量	1	1
端子数量	3	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	100 A	100 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	YES
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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