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NEZ5964-4DD

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小234KB,共6页
制造商California Eastern Labs
官网地址http://www.cel.com/
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NEZ5964-4DD概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET

NEZ5964-4DD规格参数

参数名称属性值
厂商名称California Eastern Labs
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压15 V
最大漏极电流 (ID)3.5 A
FET 技术METAL SEMICONDUCTOR
最高频带C BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
元件数量1
端子数量2
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值25 W
最小功率增益 (Gp)9 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE

NEZ5964-4DD相似产品对比

NEZ5964-4DD 2EZ220D5 NEZ5964-8DD
描述 RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET 2.0W SILICON ZENER DIODE RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET
厂商名称 California Eastern Labs - California Eastern Labs
Reach Compliance Code compliant - compliant
ECCN代码 EAR99 - EAR99
外壳连接 SOURCE - SOURCE
配置 SINGLE - SINGLE
最小漏源击穿电压 15 V - 15 V
最大漏极电流 (ID) 3.5 A - 7 A
FET 技术 METAL SEMICONDUCTOR - METAL SEMICONDUCTOR
最高频带 C BAND - C BAND
JESD-30 代码 R-CDFM-F2 - R-CDFM-F2
元件数量 1 - 1
端子数量 2 - 2
工作模式 DEPLETION MODE - DEPLETION MODE
最高工作温度 175 °C - 175 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED - CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT - FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL - N-CHANNEL
功耗环境最大值 25 W - 50 W
最小功率增益 (Gp) 9 dB - 8.5 dB
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 YES - YES
端子形式 FLAT - FLAT
端子位置 DUAL - DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER - AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE - GALLIUM ARSENIDE
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