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SB580

产品描述5 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小75KB,共2页
制造商BILIN
官网地址http://www.galaxycn.com/
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SB580概述

5 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

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BL
FEATURES
GALAXY ELECTRICAL
SB520 - - -SB5A0
VOLTAGE RANGE: 20 ---
100
V
CURRENT: 5.0 A
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Metal-Semiconductor junction with guard ring
Epitaxial construction
Low forward voltage drop,low switching losses
High surge capability
For use in low voltage,high frequency inverters free
xxxx
wheeling,and polarity protection applications
The plastic material carries U/L recognition 94V-0
DO - 27
MECHANICAL DATA
Case:JEDEC DO--27,molded plastic
Terminals: Axial lead ,solderable per
MIL- STD-202,method 208
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.041 ounces,1.15 grams
Mounting position: Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
am bient tem perature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
SB520 SB530 SB540 SB550 SB560
SB580 SB5A0
UNITS
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectified current
9.5mm lead length,
(See FIG.1)
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
20
14
20
30
21
30
40
28
40
50
35
50
5.0
60
42
60
80
56
80
100
70
100
V
V
V
A
Peak forw ard surge current
8.3ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load
@T
J
=125
I
FSM
150.0
A
Maximum instantaneous forw ard voltage
@ 5.0 A (Note 1)
Maximum reverse current
@T
A
=25
V
F
I
R
C
J
R
θ
JA
T
J
T
STG
0.55
0.5
50.0
50
10
0.67
0.85
V
at rated DC blocking voltage @T
A
=100
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
(Note2)
(Note3)
25.0
mA
pF
/W
Operating junction temperature range
Storage temperature range
-55 --- +150
-55 --- +150
www.galaxycn.com
NOTE: 1. Pulse test : 300 s pulse width,1% duty cy cle.
2. Measured at 1.0MHz and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.
3.Thermal resistance junction to ambient
Document Number 0266028
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.

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SB580 SB530 SB520 SB540 SB550 SB560 SB5A0
描述 5 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 5 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 5 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 5 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD RECTIFIER DIODE 5 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
端子数量 - 2 - 2 2 - 2
元件数量 - 1 - 1 1 - 1
状态 - DISCONTINUED - ACTIVE TRANSFERRED ACTIVE DISCONTINUED
包装形状 - - -
包装尺寸 - LONG FORM - LONG FORM LONG FORM - LONG FORM
端子形式 - 线 - 线 线 - 线
端子位置 - AXIAL - AXIAL AXIAL - AXIAL
包装材料 - 塑料/环氧树脂 - 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 - 塑料/环氧树脂
工艺 - SCHOTTKY - SCHOTTKY SCHOTTKY - SCHOTTKY
结构 - 单一的 - 单一的 单一的 - 单一的
壳体连接 - 隔离 - 隔离 隔离 - 隔离
二极管元件材料 - - -
二极管类型 - 整流二极管 - 整流二极管 整流二极管 RECTIFIER DIODE 整流二极管
应用 - GENERAL PURPOSE - GENERAL PURPOSE EFFICIENCY - GENERAL PURPOSE
相数 - 1 - 1 1 - 1
最大重复峰值反向电压 - 30 V - 40 V 50 V - 30 V
最大平均正向电流 - 5 A - 5 A 5 A - 5 A
最大非重复峰值正向电流 - 220 A - 150 A 200 A - 220 A
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