NDS332P/L99Z概述

1000mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB

NDS332P/L99Z规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD RATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	20 V
最大漏极电流 (ID)	1 A
最大漏源导通电阻	0.41 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-236AB
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	P-CHANNEL
功耗环境最大值	0.46 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

NDS332P/L99Z相似产品对比

	NDS332P/L99Z	NDS332P/S62Z	NDS332P/D87Z
描述	1000mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB	1000mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB	1000mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD RATED	LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD RATED	LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD RATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	20 V	20 V	20 V
最大漏极电流 (ID)	1 A	1 A	1 A
最大漏源导通电阻	0.41 Ω	0.41 Ω	0.41 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-236AB	TO-236AB	TO-236AB
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL
功耗环境最大值	0.46 W	0.46 W	0.46 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON

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