电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SB402L

产品描述4 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小401KB,共2页
制造商DIOTEC
官网地址http://www.diotec.com/
下载文档 选型对比 全文预览

SB402L概述

4 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

文档预览

下载PDF文档
DIOTEC ELECTRONICS CORP.
18020 Hobart Blvd., Unit B
Gardena, CA 90248 U.S.A
Tel.: (310) 767-1052 Fax: (310) 767-7958
Data Sheet No. BRSB-400-1C
ABSB-400-1C
4 AMP SILICON BRIDGE RECTIFIERS
FEATURES
MECHANICAL SPECIFICATION
ACTUAL SIZE OF
SB4 PACKAGE
DT
SB404L
_
+
VOID FREE VACUUM DIE SOLDERING FOR MAXIMUM
MECHANICAL STRENGTH AND HEAT DISSIPATION
(Solder Voids: Typical < 2%, Max. < 10% of Die Area)
BUILT-IN STRESS RELIEF MECHANISM FOR
SUPERIOR RELIABILITY AND PERFORMANCE
SURGE OVERLOAD RATING TO 200 AMPS PEAK
SERIES:
SB400L - SB410L
ASB404L - ASB408L
C
D
DT
SB404L
_
+
D1
UL RECOGNIZED - FILE #E124962
RoHS COMPLIANT
MECHANICAL DATA
_
+
L1
L
B
Case: Molded Epoxy (UL Flammability Rating 94V-0)
Terminals: Round silver plated copper pins
Soldering: Per MIL-STD 202 Method 208 guaranteed )
Polarity: Marked on case
Mounting Position: Any.
Weight: 0.2 Ounces (5.6 Grams)
SYM
A
A1
B
B1
C
D
D1
L
L1
MILLIMETERS
MIN
6.4
2.06
1.22
4.57
19.1
15.62
14.38*
27.94
25.4
MAX
6.65
2.18
1.32
5.59
19.3
15.88
n/a
n/a
n/a
INCHES
MIN
0.252
0.061
0.048
0.180
0.750
0.615
0.566*
1.2
1.0
MAX
0.262
0.065
0.052
0.220
0.760
0.625
n/a
n/a
n/a
B1
A1
A
MAXIMUM RATINGS & ELECTRICAL CHARACTERISTICS
2HG A 6F 3§©! # ©©! £ ¡ §1 7©§©& %6! ¤9 £ §§¡ ¡ #3©E
  £ ¥ # $ ) # ! ¨ 1 ¡
¤ ) " ) &
2 1 ¡ %
©§& 6! ¤9 £ ©©¥ 3#3&§ ¤9 §¨ ¤¨ ! # 7 D©A @ 7! 9 8©0 ©§' ©!§¨ §©6! ©¥ 54
) $ 1 ¤
! £
C B
¡ ( % ¡ 7 ¡ ' " % ¦ ¤
2 1 ¤ ) ! " ¨
3§ ¤! 0 §§§©! ¨ ¤( ©§' §§¨ ! ©¥! $ £ ¡ ©§" §! ©£ !  ©  £ ©§¥ ¤ £ ¢ 
# ! £ & ¨ % $ # # !  £ ¥ ¤  ¡   ¡ ¨ ¦ ¡
Series Number
‚
Maximum DC Blocking Voltage
Working Peak Reverse Voltage
Maximum Peak Recurrent Reverse Voltage
RMS Reverse Voltage
Thermal Energy (Rating for Fusing)
Peak Forward Surge Current. Single 60Hz Half-Sine Wave
Superimposed on Rated Load (JEDEC Method) T = 150 C
Average Forward Rectified Current @ T = 50 C
I
V
V
It
ü û
6Dú
I
AMPS
°C
¢ ¡
ÿ
 
Typical Thermal Resistance
E15
— – • ” “’ ‘  ‰
‘

‚ R R œ~~Žn€ ‚R¡›RŠ }vRRw ~‘~w ’yv|~‘y…vtnR5rRRff~vp fRšxR‰o nfRl„~ RŠ } t Rv˜f¡~w ~ffxˆff st q¡~• m
p x x ‚ m „ 
ƒ z u | ’ t
‘ t
‘ “ w “ “ z ‹ ‚ † …
x • m ‚ † … ‚ ƒ s ™ r ‘ z q — – | z t } | { z w u r p
‚~w n‘ v”xvf| xf{ ~vR~€ Rˆ“¡~R‹n RŽ R‹ fŠ l“‰o Rˆ“¡~l„~ƒ ~f~w }Rv{¡yyfvt s fno nlf¡"8f
} ’ “ { s ’ ‘ p x ‹ ‚ ƒ ‡ ‚ † … x ‚ m Œ s } „ o ‚ ƒ ‡ ‚ † … ‚ € | z t | z x w u r q p m k j i h g
£f“¡
¢
  Ÿ
~“ž
Junction to Ambient (Note 1)
Junction to Lead (Note 2)
R
R
ˆ 8†
‡
… 8R‚
„ ƒ
53 2
4
V
VOLTS
C/W
w
€ € y
5¡¡x
1
©0
@ T = 25 C
@T = 125 C
Minimum Insulation Breakdown Voltage (Circuit to Case)
)
(
%
©$
Maximum Reverse Current at Rated V
I
v¡u
t
þS½
Maximum Forward Voltage (Per Diode) at 4 Amps DC
'
&
V
s X Y X r q p h g e b a Y
¡¡` cf85i fd c5` 8X
©"©© 
# !  
V
¥ ¡£
¤
Maximum Avalanche Voltage
W W V T S
5¡RU5SRPRPQ¡5H
I I
 ¡©§ ¦
   ¨
Minimum Avalanche Voltage
V
e V c a X V
W¢db` YWV U
5¡E¡¡A¡86
G F D C B @
9 7
R Q
S8P
Junction Operating and Storage Temperature Range
T ,T
T
I
VOLTS
A
ù
Ò8WÑ
Ò
W8˜WW¼8DÈWÅWtWW¨W8¼W8¸
Ð Ï Î
Í Ì Ë
Ê É Ç
Æ Ä
à Â
Á À ¿
¾ ½ »
º ¹
e e
¡¡d
¡˜
™
ø
€ y x w
6v Yv
V
Õ Ô
W8Ó
u t
66t
V
¡ ¡
W¡W5 
Ÿ ž  ›
56œš™88z88zSŒ88ŒS888„WWzvS8v
˜ — – • ” “ ’  ‘   Ž  ‹ Š ‰ ˆ ‡ † … … ƒ ‚  € ~ } | { y x w
‡t‡qnkihf‡e˜‡‘”‡‘‰‡„…ƒ
u s
r p
o m
l j
g
d
™ —
– • “ ’  ˆ †
·W8˜WW´W8¨WW¨8¢­WtWW¨WW¤¥W¢
· ¶
µ µ ³
² ² ±
° ° ¯
® ® ¬
« ª
© © §
¦ ¦
£ £
ö…õ‘‡âWâñ ‡ð ç
ô ì ó ð ç ò ð é
ë
ç
ï 6Ùè
î í í
è
…ê
è
æ å ä ã ß á ß
…‘‡âWâà ß
Þ Ý Ü Ü × Û Ú Ø
H6هdÙׅÖ
PARAMETER (TEST CONDITIONS)
RATINGS
SYMBOL
UNITS
r q
sWp
÷
VOLTS
AMPS
SEC
i
h
g
f

SB402L相似产品对比

SB402L SB400L SB404L SB401L SB406L SB410L SB408L
描述 4 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 4 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 4 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 4 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 4 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 4 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 4 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
《嵌入式Linux系统开发技术详解—基于ARM》
《嵌入式Linux系统开发技术详解—基于ARM》 7783 110楼有完整版本哦 https://bbs.eeworld.com.cn/thread-50757-11-1.html ---------------------------------------------------- ......
jinpost Linux开发
超级电容器在智能水表中的应用
传统的智能水表,在控制水阀开启和关断时,普遍采用的方法是内装锂电池,其优点在于重量轻、能量大、自放电率低等。但锂电池使用到一定时间后不得不进行更换,需要上门为用户更换电池或水表,这 ......
BIGCAP 综合技术交流
OV7670摄像头模块配STM32F107VCT6开发板使用教程
一、 专业英文名词解释OV: 豪威科技,美商半导体公司,全称OmniVisionSCCB: 串行相机控制总线,全称Serial Camera Control BusSensor: 传感器;图像传感器;感光芯片;通常指摄像头感光芯片C ......
旺宝电子 stm32/stm8
基于SG3525电压调节芯片的PWM Buck三电平变换器
基于SG3525电压调节芯片的PWM Buck三电平变换器 摘要:阐述了用SG3525电压调节芯片实现PWM Buck三电平变换器的交错控制。相对于采用分立元件实现PWM Buck三电平变换器的交错控制而言,该控制方 ......
zbz0529 PCB设计
如何提高FLASH的擦写次数
如何提高FLASH的擦写次数 在实际应用中,用户经常需要在程序运行过程中保存或读取一些数据,这些数据在工作中经常会变化,而且掉电后也不能丢失,所以需要及时地进行存储,存储这些数据常用 ......
speedUp 单片机
EVC编写的程序WiNCE6.0上不能运行问题请教?
最近将wince5.0升级到wince6.0,发现以前在EVC下编写的mfc应用程序在wince6.0上不能运行, 尝试将Program Files\Microsoft Visual Studio 8\VC\ce\Dll\armv4I目录下几个跟MFC相关的DLL导入到系 ......
sunny2002 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2614  2611  277  2309  2537  41  29  22  17  24 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved