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BZT55C8V2L1G

产品描述Zener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 0.5W
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小361KB,共5页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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BZT55C8V2L1G概述

Zener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 0.5W

BZT55C8V2L1G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗7 Ω
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
最高工作温度175 °C
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.5 W
标称参考电压8.2 V
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5%
工作测试电流5 mA

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CREAT BY ART
BZT55C2V4 - BZT55C75
500mW, 5% Tolerance SMD Zener Diode
Small Signal Product
Features
Wide zener voltage range selection : 2.4V to 75V
V
Z
tolerance selection of ±5%
Moisture sensitivity level 1
Matte Tin(Sn) lead finish with Nickel(Ni) underplate
Pb free version and RoHS compliant
All external surfaces are corrosion resistant and
leads are readily solderable
QUADRO Mini-MELF (LS34)
Hermetically Sealed Glass
Mechanical Data
Case : QUADRO Mini-MELF Package (JEDEC DO-213)
High temperature soldering guaranteed : 270
o
C/10s
Polarity : Indicated by cathode band
Weight : 29 ± 2.5mg
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Maximum Ratings
Parameter
Power Dissipation
Forward Voltage
Thermal Resistance (Junction to Ambient)
Junction and Storage Temperature Range
Note : Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature.
I
F
=10mA
(Note 1)
Symbol
P
D
V
F
R
θJA
T
J
, T
STG
Value
500
1.0
500
-65 to +175
Unit
mW
V
o
C/W
o
C
Zener I vs. V Characteristics
V
BR
I
ZK
Z
ZK
I
ZT
V
Z
Z
ZT
I
ZM
V
ZM
: Voltage at I
ZK
: Test current for voltage V
BR
: Dynamic impedance at I
ZK
: Test current for voltage V
Z
: Voltage at current I
ZT
: Dynamic impedance at I
ZT
: Maximum steady state current
: Voltage at I
ZM
Document Number:DS_S1308005
Version : E13
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