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BYW85

产品描述Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小76KB,共2页
制造商Gulf Semiconductor
官网地址http://www.gulfsemi.com/
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BYW85概述

Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, GLASS PACKAGE-2

BYW85规格参数

参数名称属性值
厂商名称Gulf Semiconductor
包装说明GLASS PACKAGE-2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码E-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料GLASS
封装形状ELLIPTICAL
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向电流1 µA
最大反向恢复时间2 µs
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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BYW85
SINTERED GLASS JUNCTION
GENERAL AVALANCHE RECTIFIER
VOLTAGE:800V
CURRENT: 3.0A
FEATURE
Glass passivated junction
Controlled avalanche characteristics
Low reverse current
High surge current loading
SOD-64
MECHANICAL DATA
Case: SOD-64 sintered glass case
Terminal: Plated axial leads solderable per
MIL-STD 202E, method 208C
Polarity: color band denotes cathode end
Mounting position: any
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(single-phase, half-wave, 60HZ, resistive or inductive load rating at 25°C, unless otherwise stated)
SYMBOL
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
Peak Forward Surge Current at Tp=10ms half
sinewave
Maximum Forward Voltage at Forward Current 3A
Non-repetitive peak reverse avalanche energy at
I
(BR)R
=1A
Maximum DC Reverse Current
at rated DC blocking voltage
Typical Reverse Recovery Time
Typical Thermal Resistance
Ta =25
°C
Ta =100
°C
(Note 1)
(Note 2)
BYW85
800
560
800
3.0
100
1.00
20
1.0
10.0
2.0
25
-65 to +175
units
V
V
V
A
A
V
mJ
µA
µS
KW
°C
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
FAV
I
FSM
V
F
E
R
I
R
Trr
R
th(ja)
Tstg, Tj
Storage and Operating Junction Temperature
Note:
1. Reverse Recovery Condition If
=0.5A,
Ir =1.0A, Irr =0.25A
2. I =10mm,T
L
= constant
Rev.A1
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