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DS1350YL-100IND: 产品描述512KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, PDSO34, LOW PROFILE, SMT-34; 产品类别存储存储; 文件大小160KB，共9页; 制造商Maxim(美信半导体); 官网地址https://www.maximintegrated.com/en.html

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DS1350YL-100IND概述

512KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, PDSO34, LOW PROFILE, SMT-34

	DS1350YL-100IND	DS1350YL-70-IND
描述	512KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, PDSO34, LOW PROFILE, SMT-34	Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO34, LOW PROFILE, SMT-34
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	Maxim(美信半导体)	Maxim(美信半导体)
零件包装代码	SOIC	SOIC
针数	34	34
Reach Compliance Code	unknown	not_compliant
最长访问时间	100 ns	70 ns
其他特性	DATA RETENTION = 10 YRS	10 YEAR DATA RETENTION PERIOD
JESD-30 代码	R-XDFP-U34	R-PDSO-U34
内存密度	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	NON-VOLATILE SRAM MODULE	NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度	8	8
功能数量	1	1
端子数量	34	34
字数	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C
组织	512KX8	512KX8
封装主体材料	UNSPECIFIED	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES
技术	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	J INVERTED	J INVERTED
端子位置	DUAL	DUAL

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