PCF85102C-2T/03,PCF85102C-2T/03 pdf中文资料,PCF85102C-2T/03引脚图,PCF85102C-2T/03电路-Datasheet-电子工程世界

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PCF85102C-2T/03: 产品描述IC 256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 3.90 MM, PLASTIC, MS-012, SOT-96-1, SOP-8, Programmable ROM; 产品类别存储存储; 文件大小101KB，共20页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com; 标准

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PCF85102C-2T/03概述

IC 256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 3.90 MM, PLASTIC, MS-012, SOT-96-1, SOP-8, Programmable ROM

PCF85102C-2T/03规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	NXP(恩智浦)
零件包装代码	SOIC
包装说明	3.90 MM, PLASTIC, MS-012, SOT-96-1, SOP-8
针数	8
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最大时钟频率 (fCLK)	0.1 MHz
数据保留时间-最小值	10
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节	1010DDDR
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e4
长度	4.9 mm
内存密度	2048 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端子数量	8
字数	256 words
字数代码	256
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	256X8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装等效代码	SOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	3/5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.75 mm
串行总线类型	I2C
最大待机电流	0.0000035 A
最大压摆率	0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)	6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)	2.7 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms

PCF85102C-2T/03相似产品对比

	PCF85102C-2T/03	PCF85102C-2P/03
描述	IC 256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 3.90 MM, PLASTIC, MS-012, SOT-96-1, SOP-8, Programmable ROM	IC 256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, MO-001, SOT-97-1, DIP-8, Programmable ROM
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)
零件包装代码	SOIC	MO-001
包装说明	3.90 MM, PLASTIC, MS-012, SOT-96-1, SOP-8	0.300 INCH, PLASTIC, MO-001, SOT-97-1, DIP-8
针数	8	8
Reach Compliance Code	unknown	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99
最大时钟频率 (fCLK)	0.1 MHz	0.1 MHz
数据保留时间-最小值	10	10
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节	1010DDDR	1010DDDR
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PDIP-T8
JESD-609代码	e4	e4
长度	4.9 mm	9.5 mm
内存密度	2048 bit	2048 bi
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM
内存宽度	8	8
功能数量	1	1
端子数量	8	8
字数	256 words	256 words
字数代码	256	256
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C
组织	256X8	256X8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP	DIP
封装等效代码	SOP8,.25	DIP8,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	IN-LINE
并行/串行	SERIAL	SERIAL
电源	3/5 V	3/5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.75 mm	4.2 mm
串行总线类型	I2C	I2C
最大待机电流	0.0000035 A	0.0000035 A
最大压摆率	0.002 mA	0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)	6 V	6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V
表面贴装	YES	NO
技术	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL
宽度	3.9 mm	7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms	10 ms

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