Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 100ns, CMOS, PDIP32,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | DALLAS |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最长访问时间 | 100 ns |
| 其他特性 | DATA RETENTION > 10 YEARS |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T32 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 128KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 可输出 | YES |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP32,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.005 A |
| 最大压摆率 | 0.085 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| DS1645EE-100 | DS1645EE | DS1645EE-85 | DS1645EE-70 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 100ns, CMOS, PDIP32, | Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, CMOS, PDIP32, | Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 85ns, CMOS, PDIP32, | Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 70ns, CMOS, PDIP32, |
| 厂商名称 | DALLAS | DALLAS | DALLAS | DALLAS |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T32 | R-PDIP-T32 | R-PDIP-T32 | R-PDIP-T32 |
| 内存密度 | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM MODULE | NON-VOLATILE SRAM MODULE | NON-VOLATILE SRAM MODULE | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 32 | 32 | 32 | 32 |
| 字数 | 131072 words | 131072 words | 131072 words | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 | 128000 | 128000 | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 组织 | 128KX8 | 128KX8 | 128KX8 | 128KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 | 不符合 |
| 最长访问时间 | 100 ns | - | 85 ns | 70 ns |
| 其他特性 | DATA RETENTION > 10 YEARS | - | DATA RETENTION > 10 YEARS | DATA RETENTION > 10 YEARS |
| JESD-609代码 | e0 | - | e0 | e0 |
| 端口数量 | 1 | - | 1 | 1 |
| 最高工作温度 | 70 °C | - | 70 °C | 70 °C |
| 输出特性 | 3-STATE | - | 3-STATE | 3-STATE |
| 可输出 | YES | - | YES | YES |
| 封装代码 | DIP | - | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP32,.6 | - | DIP32,.6 | DIP32,.6 |
| 电源 | 5 V | - | 5 V | 5 V |
| 最大待机电流 | 0.005 A | - | 0.005 A | 0.005 A |
| 最大压摆率 | 0.085 mA | - | 0.085 mA | 0.085 mA |
| 温度等级 | COMMERCIAL | - | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子节距 | 2.54 mm | - | 2.54 mm | 2.54 mm |
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