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HUFA75617D3S

产品描述16A, 100V, 0.09ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小124KB,共9页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HUFA75617D3S概述

16A, 100V, 0.09ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA

HUFA75617D3S规格参数

参数名称属性值
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)16 A
最大漏源导通电阻0.09 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

HUFA75617D3S相似产品对比

HUFA75617D3S HUFA75617D3 HUFA75617D3ST
描述 16A, 100V, 0.09ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 16A, 100V, 0.09ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA 16A, 100V, 0.09ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V
最大漏极电流 (ID) 16 A 16 A 16 A
最大漏源导通电阻 0.09 Ω 0.09 Ω 0.09 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252AA TO-251AA TO-252AA
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2
元件数量 1 1 1
端子数量 2 3 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO YES
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON

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