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HGTG11N120CND

产品描述43A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小792KB,共9页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
标准  
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HGTG11N120CND概述

43A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-247

HGTG11N120CND规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Rochester Electronics
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW CONDUCTION LOSS
最大集电极电流 (IC)43 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码TO-247
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级NOT APPLICABLE
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT APPLICABLE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态COMMERCIAL
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT APPLICABLE
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)570 ns
标称接通时间 (ton)33 ns

HGTG11N120CND相似产品对比

HGTG11N120CND HGTG11N120CND_NL
描述 43A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 43A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Rochester Electronics Rochester Electronics
Reach Compliance Code unknown unknown
其他特性 LOW CONDUCTION LOSS LOW CONDUCTION LOSS
最大集电极电流 (IC) 43 A 43 A
集电极-发射极最大电压 1200 V 1200 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码 TO-247 TO-247
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT APPLICABLE NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 COMMERCIAL COMMERCIAL
表面贴装 NO NO
端子面层 MATTE TIN NOT SPECIFIED
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT APPLICABLE NOT SPECIFIED
晶体管应用 MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 570 ns 570 ns
标称接通时间 (ton) 33 ns 33 ns

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