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BZV55C2V7

产品描述Zener Diode, 2.7V V(Z), 7.41%, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS, LL34, MELF-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小15KB,共1页
制造商Compensated Devices Inc
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BZV55C2V7概述

Zener Diode, 2.7V V(Z), 7.41%, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS, LL34, MELF-2

BZV55C2V7规格参数

参数名称属性值
厂商名称Compensated Devices Inc
包装说明HERMETIC SEALED, GLASS, LL34, MELF-2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性METALLURGICALLY BONDED
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-213AA
JESD-30 代码O-LELF-R2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
认证状态Not Qualified
标称参考电压2.7 V
最大反向电流20 µA
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层TIN LEAD
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
最大电压容差7.41%
工作测试电流5 mA

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• ZENER DIODES
•LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT
• DOUBLE PLUG CONSTRUCTION
• METALLURGICALLY BONDED
BZV55 C2V4
thru
BZV55 C75
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperature: -65°C to +175°C
Storage Temperature: -65°C to +175°C
Power Derating: 3.33 mW / °C above +50°C
Forward Voltage: @ 200mA: 1.1 Volts maximum
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ 25°C, unless otherwise specified.
MAXIMUM
DIFFERENTIAL
RESISTANCE
rdiff @ I Z
mA
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5
5
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2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
OHMS
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
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20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
mA
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.050
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MAXIMUM
REVERSE
CURRENT
IR @ VR
TYPE
ZENER VOLTAGE
(NOTE 1)
VZ @ I ZT
VOLTS
MIN
MAX
µ
A
VOLTS
1
1
1
1
1
1
1
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2
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4
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8
8
8
10.5
11.2
12.6
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.2
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
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BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
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BZV55
BZV55
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BZV55
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BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
C2V4
C2V7
C3V0
C3V3
C3V6
C3V9
C4V3
C4V7
C5V1
C5V6
C6V2
C6V8
C7V5
C8V2
C9V1
C10
C11
C12
C13
C15
C16
C18
C20
C22
C24
C27
C30
C33
C36
C39
C43
C47
C51
C56
C62
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28.0
31.0
34.0
37.0
40.0
44.0
48.0
52.0
58.0
64.0
70.0
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32.0
35.0
38.0
41.0
46.0
50.0
54.0
60.0
66.0
72.0
79.0
DIM
D
F
G
G1
S
MILLIMETERS
INCHES
MIN MAX MIN MAX
1.60
1.70 0.063 0.067
0.41
0.55 0.016 0.022
3.30
3.70 .130 .146
2.54 REF.
.100 REF.
0.03 MIN.
.001 MIN.
DESIGN DATA
CASE:
DO-213AA, Hermetically sealed
glass case. (MELF, SOD-80, LL34)
LEAD FINISH:
Tin / Lead
THERMAL RESISTANCE: (R
OJEC):
100 ˚C/W maximum at L = 0 inch
THERMAL IMPEDANCE: (Z
OJX): 35
˚C/W maximum
POLARITY:
Diode to be operated with
the banded (cathode) end positive.
MOUNTING SURFACE SELECTION:
The Axial Coefficient of Expansion
(COE) Of this Device is Approximately
+6PPM/°C. The COE of the Mounting
Surface System Should Be Selected To
Provide A Suitable Match With This
Device.
BZV55 C68
BZV55 C75
NOTE 1
Nominal Zener voltage is measured with the device junction in thermal
equilibrium at an ambient temperature of 25°C + 3°C.
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176
PHONE (781) 665-1071
FAX (781) 665-7379
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com
E-mail: mail@cdi-diodes.com
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